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供应 场效应管 BSC016N04LSG,016N04LS,BSC016N04

价 格: 面议
型号/规格:BSC016N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0016Ω
品牌/商标:INFINEON(英飞凌)
封装形式:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:5000/盘

 

BSC016N04LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,40V,100A,0.0016Ω

 

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 40 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25 295 mJ
Gate source voltage VGS   ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 139 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=85µA 2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=50A 1.6 m
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 8900 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A 190 S

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深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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供应 场效应管 BSC057N03MSG,057N03MS,BSC057N03

信息内容:

产品型号:BSC057N03MSG 封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30 夹断电压VGS(V):±16 雪崩能量EAS(mJ):25 漏极电流Id(A):71 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057@VGS = 10 V 开启电压VGS(TH)(V):2 功率PD(W):45 极间电容Ciss(PF):2300 通道极性:N通道 低频跨导gFS(s):70 温度(℃): -55 ~150 描述:30V,71A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

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供应 场效应管 CEP20P06 , 20P06

信息内容:

MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具 功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板. 产品型号:CEP20P06 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-14 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.125 开启电压VGS(TH)(V):-3 功率PD(W):50 极间电容Ciss(PF):615 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:-60V, -14A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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