供应 场效应管 BSC057N03MSG,057N03MS,BSC057N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC057N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,71A,0.0057Ω. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 |
产品型号:BSC057N03MSG
封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±16
雪崩能量EAS(mJ):25
漏极电流Id(A):71
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0057@VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2
功率PD(W):45
极间电容Ciss(PF):2300
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s)：70
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,71A, N-channel OptiMOS Power-MOSFET
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 CEP20P06 , 20P06
信息内容：MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具 功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板. 产品型号:CEP20P06 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60 夹断电压VGS(V):±20 漏极电流Id(A):-14 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.125 开启电压VGS(TH)(V):-3 功率PD(W):50 极间电容Ciss(PF):615 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:-60V, -14A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供应 场效应管 BSC020N025,BSC020N025SG,20N025S
信息内容：型号：BSC020N025SG 标记:20N025S 类型：场效应管 通道极性:N通道 封装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 25 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 800 mJ ...
