供应 场效应管 CEP20P06 , 20P06
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | CEP20P06,TO-220,DIP/MOS,P场,-60V,-14A,0.125Ω | |
| 品牌/商标： | CET/华瑞 | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 普通型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 |
MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:CEP20P06
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-60
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):-14
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.125
开启电压VGS(TH)(V):-3
功率PD(W):50
极间电容Ciss(PF):615
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:-60V, -14A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC020N025,BSC020N025SG,20N025S
信息内容：型号：BSC020N025SG 标记:20N025S 类型：场效应管 通道极性:N通道 封装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 25 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 800 mJ ...
供应 场效应管 BSC016N03,016N03LS,BSC016N03LSG
信息内容：BSC016N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,30V,100A,0.0016Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25? 290 mJ Power dissipation Ptot TC=25℃ 125 W ...
