供应拆机场效应管80N70
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 80N70 | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 环保类别： | 普通型 |
场效应管的基本特性 场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，有与电子管相似的传输特性，因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用，其特点有以下一些。
1、场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。
2.场效应管的噪声是非常低的，噪声系数可以做到1dB以下，现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右，这是一般晶体管和电子管难以达到的。
3、高输入阻抗容易驱动，输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容)，输出端负载的变化对输入端影响小，驱动负载能力强，电源利用率高。
| 材料： | GE-P-FET锗P沟道 | 种类： | 结型(JFET) |
| 封装形式： | 直插型 | 集电极允许电流ICM： | A |
| 型号： | 80N70 80NF70 | 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 |
| 截止频率fT： | MHZ | 品牌： | ST/意法 |
| 用途： | S/开关 | 沟道类型： | N沟道 |
| 导电方式： | 耗尽型 |
- 所属城市：广东 汕头
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供应拆机场效应管K3435B测试合格
信息内容：材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： K3435B 2SK3435B 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： NEC/日本电气 用途： S/开关 沟道类型： N沟道 导电方式： 耗尽型 场效应管与晶体管的区分 1、场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 2、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 3、场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
供应拆机场效应管 RFZ48N测试合格
信息内容：功率：1 批号：2012 类型：其他IC 封装形式：直插型 集电极允许电流ICM：A 型号：IRFZ48N 截止频率fT：MHZ 品牌：IR/国际整流器 用途：S/开关 封装：TO-220 用测反向电阻值的变化判断跨导的大小 对ＶＭＯＳ Ｎ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
