供应拆机场效应管K3435B测试合格
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | K3435B | |
| 品牌/商标： | NEC/日本电气 | |
| 环保类别： | 普通型 |
材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET)
封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A
型号： K3435B 2SK3435B 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插
截止频率fT： MHZ 品牌： NEC/日本电气
用途： S/开关 沟道类型： N沟道
导电方式： 耗尽型
场效应管与晶体管的区分 1、场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
2、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
3、场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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供应拆机场效应管 RFZ48N测试合格
信息内容：功率：1 批号：2012 类型：其他IC 封装形式：直插型 集电极允许电流ICM：A 型号：IRFZ48N 截止频率fT：MHZ 品牌：IR/国际整流器 用途：S/开关 封装：TO-220 用测反向电阻值的变化判断跨导的大小 对ＶＭＯＳ Ｎ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
供应原装拆机仙童场效应管40N60
信息内容：场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗，较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。 击穿电压VCBO：V 集电极允许电流ICM：A 封装形式：直插型 截止频率fT：MHZ 型号：40N60 材料：硅(Si) 品牌：FAIRCHILD/仙童 应用范围：开关
