功率:1 批号:2012 类型:其他IC
封装形式:直插型 集电极允许电流ICM:A 型号:IRFZ48N
截止频率fT:MHZ 品牌:IR/国际整流器 用途:S/开关
封装:TO-220
用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对VMOS N沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极G时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。
场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗,较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。 击穿电压VCBO:V 集电极允许电流ICM:A 封装形式:直插型 截止频率fT:MHZ 型号:40N60 材料:硅(Si) 品牌:FAIRCHILD/仙童 应用范围:开关
场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗,较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。 材料: GE-N-FET锗N沟道 种类: 绝缘栅(MOSFET) 封装形式: 直插型 集电极允许电流ICM: 1 型号: K1491 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT: 1 品牌: NEC 用途: L/功率放大 沟道类型: N沟道 导电方式: 增强型