供应批发原装拆机场效应管K1491
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | K1491 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 环保类别： | 普通型 |
场效应管是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。它还具有高输入阻抗，较好的热稳定性、抗辐射性。现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,但场效应管与晶体管又是不同的。
材料： GE-N-FET锗N沟道 种类： 绝缘栅(MOSFET)
封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： 1
型号： K1491 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插
截止频率fT： 1 品牌： NEC
用途： L/功率放大 沟道类型： N沟道
导电方式： 增强型
- 所属城市：广东 汕头
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供应拆机场效应管2SK962
信息内容：材料： N-FET硅N沟道 种类： 绝缘栅(MOSFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： 2SK962 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： FUJI/富士通 用途： MOS-INM/独立组件 沟道类型： N沟道 导电方式： 增强型 场效应管的品种较多，大体上可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两类，且都有N型沟道(电流通道)和P型沟道两种，每种又有增强型和耗尽型共四类。 绝缘栅场效应管又称金属(M)氧化物(O)半导体(S)场效应管，简称MOS管。按其内部结构又可分为一般MOS管和VMOS管两种，每种又有N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类。 VMOS场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管，是在一般MOS场效应管的基础上发展起来的新型高效功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(大于100MΩ)、驱动电流小(0.1uA左右)，还具有耐压高(1200V)、工作电流大(1.5～100A)、输出功率高(1～250W)、跨导线性好、开关速度快等优良特性。目前已在高速开关、电压放大(电压放大倍数可达数千倍)、射频功放、开关电源和逆变器等电路中得到了广泛应用。由于它兼有电子管和晶体管的优点，用它制作的高保真音频功放，音质温暖甜润而又不失力度，备受爱乐...
供应拆机场效应管2SK1082
信息内容：材料： N-FET硅N沟道 种类： 绝缘栅(MOSFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： 2SK1082 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： FUJI/富士通 用途： MOS-INM/独立组件 沟道类型： N沟道 导电方式： 增强型 场效应管的基本特性 5.普通晶体管在工作时，由于输入端(发射结)加的是正向偏压，因此输入电阻是很低的，场效应管的输入端(栅极与源极之间)工作时可以施加负偏压即反向偏压，也可以加正向偏压，因此增加了电路设计的变通性和多样性。通常在加反向偏压时，它的输入电阻更高，高达100MΩ以上，场效应管的这一特性弥补了普通晶体管及电子管在某些方面应用的不足。 6.场效应管的防辐射能力比普通晶体管提高10倍左右。 7.转换速率快，高频特性好。
