供应拆机场效应管2SK962
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK962 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 环保类别： | 普通型 |
材料： N-FET硅N沟道 种类： 绝缘栅(MOSFET)
封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A
型号： 2SK962 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插
截止频率fT： MHZ 品牌： FUJI/富士通
用途： MOS-INM/独立组件 沟道类型： N沟道
导电方式： 增强型
场效应管的品种较多，大体上可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两类，且都有N型沟道(电流通道)和P型沟道两种，每种又有增强型和耗尽型共四类。
绝缘栅场效应管又称金属(M)氧化物(O)半导体(S)场效应管，简称MOS管。按其内部结构又可分为一般MOS管和VMOS管两种，每种又有N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类。
VMOS场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管，是在一般MOS场效应管的基础上发展起来的新型高效功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(大于100MΩ)、驱动电流小(0.1uA左右)，还具有耐压高(1200V)、工作电流大(1.5～100A)、输出功率高(1～250W)、跨导线性好、开关速度快等优良特性。目前已在高速开关、电压放大(电压放大倍数可达数千倍)、射频功放、开关电源和逆变器等电路中得到了广泛应用。由于它兼有电子管和晶体管的优点，用它制作的高保真音频功放，音质温暖甜润而又不失力度，备受爱乐人士青睐，因而在音响领域有着广阔的应用前景。VMOS管和一般MOS管一样，也可分为N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类，分类特征与一般的MOS管相同。
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供应拆机场效应管2SK1082
信息内容：材料： N-FET硅N沟道 种类： 绝缘栅(MOSFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： 2SK1082 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： FUJI/富士通 用途： MOS-INM/独立组件 沟道类型： N沟道 导电方式： 增强型 场效应管的基本特性 5.普通晶体管在工作时，由于输入端(发射结)加的是正向偏压，因此输入电阻是很低的，场效应管的输入端(栅极与源极之间)工作时可以施加负偏压即反向偏压，也可以加正向偏压，因此增加了电路设计的变通性和多样性。通常在加反向偏压时，它的输入电阻更高，高达100MΩ以上，场效应管的这一特性弥补了普通晶体管及电子管在某些方面应用的不足。 6.场效应管的防辐射能力比普通晶体管提高10倍左右。 7.转换速率快，高频特性好。
供应拆机场效应管2SK1512
信息内容：材料： N-FET硅N沟道 种类： 绝缘栅(MOSFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： 2SK1512 2SK3548 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： FUJI/富士通 用途： MOS-INM/独立组件 沟道类型： N沟道 导电方式： 增强型 场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，有与电子管相似的传输特性，因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用，其特点有以下一些。 1、场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。 2.场效应管的噪声是非常低的，噪声系数可以做到1dB以下，现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右，这是一般晶体管和电子管难以达到的。 3、高输入阻抗容易驱动，输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容)，输出端负载的变化对输入端影响小，驱动负载能力强，电源利用率高。
