供应拆机场效应管2SK1512
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2SK1512 | |
| 品牌/商标： | 其他 | |
| 环保类别： | 普通型 |
材料： N-FET硅N沟道 种类： 绝缘栅(MOSFET)
封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A
型号： 2SK1512 2SK3548 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插
截止频率fT： MHZ 品牌： FUJI/富士通
用途： MOS-INM/独立组件 沟道类型： N沟道
导电方式： 增强型
场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，有与电子管相似的传输特性，因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用，其特点有以下一些。
1、场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。
2.场效应管的噪声是非常低的，噪声系数可以做到1dB以下，现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右，这是一般晶体管和电子管难以达到的。
3、高输入阻抗容易驱动，输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容)，输出端负载的变化对输入端影响小，驱动负载能力强，电源利用率高。
- 所属城市：广东 汕头
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供应原装拆机三极管D1499
信息内容：功率：1 封装形式：直插型 型号：D1499 批号：2013 材料：硅(SI) 品牌：进口 封装：TO-220 应用范围：开关 三极管的种类与结构 三极管分很多种，按功率大小可分为大功率管和小功率管；按电路中的工作频率可分为高频管和低频管；按半导体材料不同可分为硅管和锗管；按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区，分别称为发射区、基区和集电区，由三个区各引出一个电极，分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。在电路中，晶体管用字符T表示。具有电流放大作用的三极管，在内部结构上具有其特殊性，这就是：其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度，集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度；其二是基区很薄，一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。
供应批发肖特基二极管SB3040PT
信息内容：工作温度范围： 1（℃） 功耗： 0 批号： 2012 材料： 硅(Si) 是否进口： 是 针脚数： 3 备注： 1 电压,Vz： 30A 40V 型号： SBL3040 SBL3040PT SB3040PT 用途： 0 产品类型： 肖特基管 品牌： 台产 主要参数： 1 封装： TO-3P 肖特基二极管优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制...
