功率:1 封装形式:直插型 型号:D1499
批号:2013 材料:硅(SI) 品牌:进口
封装:TO-220 应用范围:开关
三极管的种类与结构 三极管分很多种,按功率大小可分为大功率管和小功率管;按电路中的工作频率可分为高频管和低频管;按半导体材料不同可分为硅管和锗管;按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区,分别称为发射区、基区和集电区,由三个区各引出一个电极,分别称为发射极(E)、基极(B)和集电极(C),发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。在电路中,晶体管用字符T表示。具有电流放大作用的三极管,在内部结构上具有其特殊性,这就是:其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度,集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度;其二是基区很薄,一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。
工作温度范围: 1(℃) 功耗: 0 批号: 2012 材料: 硅(Si) 是否进口: 是 针脚数: 3 备注: 1 电压,Vz: 30A 40V 型号: SBL3040 SBL3040PT SB3040PT 用途: 0 产品类型: 肖特基管 品牌: 台产 主要参数: 1 封装: TO-3P 肖特基二极管优点 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,大多不高于60V,仅约100V,以致于限制了其应用范围。像在开关电源(SMPS)和功率因数校正(PFC)电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制...