材料: N-FET硅N沟道 种类: 绝缘栅(MOSFET)
封装形式: 直插型 集电极允许电流ICM: A
型号: 2SK1082 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插
截止频率fT: MHZ 品牌: FUJI/富士通
用途: MOS-INM/独立组件 沟道类型: N沟道
导电方式: 增强型
场效应管的基本特性
5.普通晶体管在工作时,由于输入端(发射结)加的是正向偏压,因此输入电阻是很低的,场效应管的输入端(栅极与源极之间)工作时可以施加负偏压即反向偏压,也可以加正向偏压,因此增加了电路设计的变通性和多样性。通常在加反向偏压时,它的输入电阻更高,高达100MΩ以上,场效应管的这一特性弥补了普通晶体管及电子管在某些方面应用的不足。
6.场效应管的防辐射能力比普通晶体管提高10倍左右。
7.转换速率快,高频特性好。
材料: N-FET硅N沟道 种类: 绝缘栅(MOSFET) 封装形式: 直插型 集电极允许电流ICM: A 型号: 2SK1512 2SK3548 封装外形: CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT: MHZ 品牌: FUJI/富士通 用途: MOS-INM/独立组件 沟道类型: N沟道 导电方式: 增强型 场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件,有与电子管相似的传输特性,因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用,其特点有以下一些。 1、场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。 2.场效应管的噪声是非常低的,噪声系数可以做到1dB以下,现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右,这是一般晶体管和电子管难以达到的。 3、高输入阻抗容易驱动,输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容),输出端负载的变化对输入端影响小,驱动负载能力强,电源利用率高。
功率:1 封装形式:直插型 型号:D1499 批号:2013 材料:硅(SI) 品牌:进口 封装:TO-220 应用范围:开关 三极管的种类与结构 三极管分很多种,按功率大小可分为大功率管和小功率管;按电路中的工作频率可分为高频管和低频管;按半导体材料不同可分为硅管和锗管;按结构不同可分为NPN管和PNP管。无论是NPN型还是PNP型都分为三个区,分别称为发射区、基区和集电区,由三个区各引出一个电极,分别称为发射极(E)、基极(B)和集电极(C),发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为集电结。其中发射极箭头所示方向表示发射极电流的流向。在电路中,晶体管用字符T表示。具有电流放大作用的三极管,在内部结构上具有其特殊性,这就是:其一是发射区掺杂浓度大于集电区掺杂浓度,集电区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度;其二是基区很薄,一般只有几微米。这些结构上的特点是三极管具有电流放大作用的内在依据。