供应原装拆机场效应管F1010E
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | F1010E | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 环保类别： | 普通型 |
材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET)
封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A
型号： F1010E IRF1010E 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插
截止频率fT： MHZ 品牌： ST/意法
用途： UNI/一般用途 沟道类型： N沟道
导电方式： 耗尽型
场效应管的基本特性
4.场效应管的输出为输入的2次幂函数，失真度低于晶体管，比胆管略大一些。场效应管的失真多为偶次谐波失真，听感好，高中低频能量分配适当，声音有密度感，低频潜得较深，音场较稳，透明感适中，层次感、解析力和定位感均有较好表现，具有良好的声场空间描绘能力，对音乐细节有很好表现。
5.普通晶体管在工作时，由于输入端(发射结)加的是正向偏压，因此输入电阻是很低的，场效应管的输入端(栅极与源极之间)工作时可以施加负偏压即反向偏压，也可以加正向偏压，因此增加了电路设计的变通性和多样性。通常在加反向偏压时，它的输入电阻更高，高达100MΩ以上，场效应管的这一特性弥补了普通晶体管及电子管在某些方面应用的不足。
6.场效应管的防辐射能力比普通晶体管提高10倍左右。
7.转换速率快，高频特性好。
8.场效应管的电压与电流特性曲线与五极电子管输出特性曲线十分相似。
场效应管的品种较多，大体上可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两类，且都有N型沟道(电流通道)和P型沟道两种，每种又有增强型和耗尽型共四类。
绝缘栅场效应管又称金属(M)氧化物(O)半导体(S)场效应管，简称MOS管。按其内部结构又可分为一般MOS管和VMOS管两种，每种又有N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类。
VMOS场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管，是在一般MOS场效应管的基础上发展起来的新型高效功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(大于100MΩ)、驱动电流小(0.1uA左右)，还具有耐压高(1200V)、工作电流大(1.5～100A)、输出功率高(1～250W)、跨导线性好、开关速度快等优良特性。目前已在高速开关、电压放大(电压放大倍数可达数千倍)、射频功放、开关电源和逆变器等电路中得到了广泛应用。由于它兼有电子管和晶体管的优点，用它制作的高保真音频功放，音质温暖甜润而又不失力度，备受爱乐人士青睐，因而在音响领域有着广阔的应用前景。VMOS管和一般MOS管一样，也可分为N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类，分类特征与一般的MOS管相同。
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供应拆机场效应管80N70
信息内容：场效应管的基本特性 场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，有与电子管相似的传输特性，因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用，其特点有以下一些。 1、场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。 2.场效应管的噪声是非常低的，噪声系数可以做到1dB以下，现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右，这是一般晶体管和电子管难以达到的。 3、高输入阻抗容易驱动，输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容)，输出端负载的变化对输入端影响小，驱动负载能力强，电源利用率高。 材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： 80N70 80NF70 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： ST/意法 ...
供应拆机场效应管K3435B测试合格
信息内容：材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： K3435B 2SK3435B 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： NEC/日本电气 用途： S/开关 沟道类型： N沟道 导电方式： 耗尽型 场效应管与晶体管的区分 1、场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 2、有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 3、场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 4、场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
