供应原装拆机场效应管IRF1010E
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | IRF1010E | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 环保类别： | 普通型 |
材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET)
封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A
型号： F1010E IRF1010E 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插
截止频率fT： MHZ 品牌： ST/意法
用途： UNI/一般用途 沟道类型： N沟道
导电方式： 耗尽型
VMOS场效应管还有以下特点。
1.输入阻抗高。由于栅源之间是SiO2层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。
2.驱动电流小。由于输入阻抗高，VMOS管是一种压控器件，一般有电压就可以驱动，所需的驱动电流极小。
3.跨导的线性较好。具有较大的线性放大区域，与电子管的传输特性十分相似。较好的线性就意味着有较低的失真，尤其是具有负的电流温度系数(即在栅极与源极之间电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小)，故不存在二次击穿所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到了广泛的应用。
4.结电容无变容效应。VMOS管的结电容不随结电压而变化，无一般晶体管结电容的变容效应，可避免由变容效应招致的失真。
5.频率特性好。VMOS场效应管的多数载流子运动属于漂移运动，且漂移距离仅1～1.5um，不受晶体管那样的少数载流子基区过渡时间限制，故功率增益随频率变化极小，频率特性好。
6.开关速度快。由于没有少数载流子的存储延迟时间，VMOS场效应管的开关速度快，可在20ns内开启或关断几十A 电流。
- 所属城市：广东 汕头
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 谢先生
- 电话：0754-82339026
- 传真：0754-82339026
- 手机：15013948325
- QQ ：
供应原装拆机场效应管F1010E
信息内容：材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： F1010E IRF1010E 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： ST/意法 用途： UNI/一般用途 沟道类型： N沟道 导电方式： 耗尽型 场效应管的基本特性 4.场效应管的输出为输入的2次幂函数，失真度低于晶体管，比胆管略大一些。场效应管的失真多为偶次谐波失真，听感好，高中低频能量分配适当，声音有密度感，低频潜得较深，音场较稳，透明感适中，层次感、解析力和定位感均有较好表现，具有良好的声场空间描绘能力，对音乐细节有很好表现。 5.普通晶体管在工作时，由于输入端(发射结)加的是正向偏压，因此输入电阻是很低的，场效应管的输入端(栅极与源极之间)工作时可以施加负偏压即反向偏压，也可以加正向偏压，因此增加了电路设计的变通性和多样性。通常在加反向偏压时，它的输入电阻更高，高达100MΩ以上，场效应管的这一特性弥补了普通晶体管及电子管在某些方面应用的不足。 6.场效应管的防辐射能力比普通晶体管提高10倍左右。 7.转换速率快，高频特性好。 8.场效应管的电压与电流特性曲线与五极电子管输出特性曲线十分相似。 ...
供应拆机场效应管80N70
信息内容：场效应管的基本特性 场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件，有与电子管相似的传输特性，因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用，其特点有以下一些。 1、场效应管具有更好的热稳定性和较大的动态范围。 2.场效应管的噪声是非常低的，噪声系数可以做到1dB以下，现在大部分的场效应管的噪声系数为0.5dB左右，这是一般晶体管和电子管难以达到的。 3、高输入阻抗容易驱动，输入阻抗随频率的变化比较小。输入结电容小(反馈电容)，输出端负载的变化对输入端影响小，驱动负载能力强，电源利用率高。 材料： GE-P-FET锗P沟道 种类： 结型(JFET) 封装形式： 直插型 集电极允许电流ICM： A 型号： 80N70 80NF70 封装外形： CER-DIP/陶瓷直插 截止频率fT： MHZ 品牌： ST/意法 ...
