场效应管SE2N7002 光宇睿芯
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE2N7002 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 500（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
| Part No. | Package | Configuration | Vds | Vgs (±) | ID | Rds(on) / Ohm max | |||
| 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | ||||||
| SE2N7002E | SOT523 | Single-N | 60 | 20 | 0.5 | 2.0 | 3.0 | ||
SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICSCO., LTD.
SE2N7002
| ||||||||
General DescriptionThe MOSFETs from SINO-IC provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness. | Features●VDS (V)= 60V ●ID= 300mA ●RDS(ON)< 2Ω(VGS= 10V,ID=0.5A) ●RDS(ON)< 3Ω(VGS= 5V,ID=0.05A) | |||||||
Pin configurations See Diagram below
| ||||||||
Absolute Maximum Ratings | ||||||||
Parameter | Symbol | Rating | Units | |||||
Drain-Source Voltage | VDS | 60 | V | |||||
Gate-Source Voltage | VGS | ±20 | V | |||||
Drain Current (Note 1) | Continuous | ID | 300 | mA | ||||
Pulsed | 800 | |||||||
Total Power Dissipation | PD | 350 | mW | |||||
Operating Junction Temperature Range | TJ | -55 to 150 | °C | |||||
Thermal Characteristics | ||||||||
Parameter | Symbol | Typ | Max | Units | ||||
Maximum Junction-to-Ambient A | t ≤ 5s | RθJA | 357 | - | °C/W | |||
更多型号欢迎访问www.sino-ic.cn,应用方案可参考www.sino-ic.com.
或来电咨询:021-33932402-8040
主要类目:1、TVS/ESD保护器件 2、场效应管 3、稳压管、 4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三极管
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 袁丽玲
- 电话：021-33932402
- 传真：021-33932402
- 手机：
- QQ ：
场效应管SE3400 N沟道 SOT-23封装 SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE3400 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 30（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 5800（mA） 耗散功率 1（mW） SHANGHAI July 2008MICROELECTRONICSCO., LTD. SE3400 Revision:A5.8A,30V N-Channel MOSFET General DescriptionThe MOSFETs from SINO-IC provide the best combination...
场效应管SE8209A SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE8209A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 20（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 6000（mA） 耗散功率 1（mW） SHANGHAI Feb 2008MICROELECTRONICSCO., LTD. SE8209A Revision:ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FeaturesFor a single mosfet●VDSS= 20 V●...
