供应 场效应管 BSC018NE2LS,018NE2LS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC018NE2LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 | |
| 功率特征： | |
BSC018NE2LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.0018Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 25 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 100 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 400 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 80 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 69 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2.2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 1.8 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=12V, f=1MHz | 2800 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 140 | S |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 BSC080N03MSG,080N03MS,BSC080N03
信息内容：型 号：BSC080N03MSG 标 记: 080N03MS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 53 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 212 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=35A, RGS=25? 15 mJ...
供应 场效应管 BSZ0906NS,0906NS
信息内容：BSZ0906NS,SMD/MOS,N场,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,infineon 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
