供应 场效应管 BSC080N03MSG,080N03MS,BSC080N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC080N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,53A. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 | |
| 功率特征： | |
| 型 号：BSC080N03MSG | ||||
| 标 记: 080N03MS | ||||
| 类 型：场效应管 | ||||
| 通道极性: N通道 | ||||
| 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| 备 注： | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 53 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 212 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=35A, RGS=25? | 15 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 35 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 8 | m? |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 1600 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 58 | S |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSZ0906NS,0906NS
信息内容：BSZ0906NS,SMD/MOS,N场,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,infineon 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
供应 场效应管 BSZ0901NSI,0901NSI
信息内容：BSZ0901NSI,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0021Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A Pulsed drain current Idpulse TC=25℃ 160 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 69 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage ...
