供应 场效应管 BSZ0906NS,0906NS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSZ0906NS | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | |
BSZ0906NS,SMD/MOS,N场,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,infineon
金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 方小姐/陈小姐/刘小姐/钟小姐
- 电话：0755-82814431/82814432
- 传真：0755-83957820
- 手机：15914096884
- QQ ：
供应 场效应管 BSZ0901NSI,0901NSI
信息内容：BSZ0901NSI,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0021Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A Pulsed drain current Idpulse TC=25℃ 160 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 69 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage ...
供应 场效应管 BSZ076N06NS3G,076N06N
信息内容：BSZ076N06NS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.0076Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 60 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 20 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 80 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 69 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage V...
