供应 场效应管 BSZ0901NSI,0901NSI
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSZ0901NSI,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0021Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | |
BSZ0901NSI,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.0021Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=10mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 40 | A |
| Pulsed drain current | Idpulse | TC=25℃ | 160 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 69 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2.2 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=20A, RGS=25Ω | 80 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A | 2.1 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 2600 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=20A | 100 | S |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSZ076N06NS3G,076N06N
信息内容：BSZ076N06NS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,20A,0.0076Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 60 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 20 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 80 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 69 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage V...
供应 场效应管 BSC080N03LSG,080N03LS,BSC080N03
信息内容：型 号：BSC080N03LSG 标 记: 080N03LS 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 53 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 212 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=35A, RGS=25? 15 mJ...
