供应 场效应管 BSC080N03LSG,080N03LS,BSC080N03
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC080N03LSG,N,,PG-TSDSON-8,30V,53A,8mΩ. | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 | |
| 功率特征： | |
| 型 号：BSC080N03LSG | ||||
| 标 记: 080N03LS | ||||
| 类 型：场效应管 | ||||
| 通道极性: N通道 | ||||
| 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| 备 注： | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 53 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 212 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=35A, RGS=25? | 15 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 35 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2.2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 8 | MΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 1300 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 59 | S |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
信息内容：BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω 深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司，是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展，公司已成为半导体应用联盟发起单位和华强北中国电子市场价格指数数据采集点之一。 深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon（英飞凌）, FAIRCHILD（仙童）, ST（意法半导体）, IR（美国国际整流器件）, VISHAY(威世), TOSHIBA（东芝）, FUJI（富士电机）等国际品牌，经营各种直插和贴片系列场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等元件，主要应用于太阳能、电动车控制器，LED照明电源、电源适配器、逆变器、节能灯镇流器等领域。 金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。 公司现拥有一支朝气蓬勃、团结进取的团队...
供应 场效应管 BSZ123N08NS3G,123N08N,BSZ123N08
信息内容：BSZ123N08NS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,80V,40A,0.0123Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 80 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 160 A Gate source voltage VGS ±20 V Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25Ω 110 mJ Power dissipati...
