供应 场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 | |
| 功率特征： | |
BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω
深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司，是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展，公司已成为半导体应用联盟发起单位和华强北中国电子市场价格指数数据采集点之一。
深圳市金城微零件有限公司是KIA一级代理商，经销Infineon（英飞凌）, FAIRCHILD（仙童）, ST（意法半导体）, IR（美国国际整流器件）, VISHAY(威世), TOSHIBA（东芝）, FUJI（富士电机）等国际品牌，经营各种直插和贴片系列场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复等元件，主要应用于太阳能、电动车控制器，LED照明电源、电源适配器、逆变器、节能灯镇流器等领域。
金城微零件在半导体行业中以主营场效应管而独具特色，特别专注于贴片系列场效应管。贴片封装系列产品（SOT-252，SOP-8，PG-TDSON-8）在锂电池保护板、航模无刷电调、电脑主板、电动玩具、遥控飞机船等领域的应用更为显著。我们以大量现货为优势，可根据参数需要为客户提供应用型号，致力成为该领域在华南地区供应商之一，为客户提供相关应用质的技术支持。
公司现拥有一支朝气蓬勃、团结进取的团队。公司的不断发展和壮大，吸引了大批人才的纷纷加入。“天高任鸟飞，海阔凭鱼跃” 近年来公司推行现代化管理，为员工提供更加广阔的发展平台，把“我帮你进步”作为管理者的责任，将“企业回报社会”作为企业价值体现的最终目标。
金城微零件在珠三角地区现已建立4个营业网点，服务范围辐射珠三角、遍及全国各个地区，为终端生产厂商提供元器件一站式服务。金城微零件坐落于福田区华富路航都大厦，设有业务部，外贸部，财务部，技术部，物流部等主要部门。公司在新亚洲电子商城一期和都会电子城设有门市部，长期备有大量现货，竭诚为广大客户提供便利、优质、高效、及时的服务。公司整个团队本着诚信务实的理念，以卓越品质和优质服务在业界赢得了广泛认可。
凭借丰富的行业经验、成熟的营销网络、雄厚的技术力量、并拥有大量库存现货，以及的行业办公软件，公司未来将着力建设更多的服务网点，力争“零距离”为客户提供、完善的技术和服务。
金城微零件一如既往以“品质保证市场 诚信决定未来”为宗旨，一直在稳定、持续、快速的发展，正努力为推动半导体行业进步尽微薄之力，并把促进行业的发展作为企业责任。我们坚信发展是硬道理，合作是成功的桥梁。诚意欢迎各位同行、有志之士加入合作，共创新优势。
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供应 场效应管 BSZ123N08NS3G,123N08N,BSZ123N08
信息内容：BSZ123N08NS3G,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,80V,40A,0.0123Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 80 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 160 A Gate source voltage VGS ±20 V Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25Ω 110 mJ Power dissipati...
供应 场效应管 BSZ088N03,088N03M,BSZ088N03MSG
信息内容：BSZ088N03MSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.008Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 40 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 35 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2 V Avalanche energy, single p...
