供应 场效应管 BSZ088N03,088N03M,BSZ088N03MSG
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSZ088N03MSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.008Ω | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 | |
| 功率特征： | |
BSZ088N03MSG,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,40A,0.008Ω
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 30 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 40 | A |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 35 | W |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2 | V |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=20 A, RGS=25Ω | 25 | mJ |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=20A | 8 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz | 2100 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 57 | S |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSZ0909NS,0909NS
信息内容：BSZ0909NS,QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8,SMD/MOS,N场,34V,36A,0.012Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 34 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 36 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 144 A Gate source voltage VGS ±20 V Avalanche energy, single pulse EAS ID=20A, RGS=25Ω 9 mJ Power dissipat...
供应 场效应管 BSZ100N03LSG,BSZ100N03,100N03L
信息内容：本公司经营电脑主板、显卡、笔记本电脑上的场效应管 30V 贴片 场效应管 ,原装,价格优惠,现货库存,以优势说话,欢迎咨询洽谈。 BSC100N03LSG,PG-TDSON-8,电压：30V，电流：44A，内阻：10mΩ BSC100N03MSG,PG-TDSON-8,电压：30V，电流：44A，内阻：10mΩ BSZ100N03MSG,,PG-TSDSON-8,电压：30V，电流：40A，内阻：9.1mΩ BSZ100N03LSG,PG-TSDSON-8,电压：30V，电流：40A，内阻：10mΩ BSC090N03MSG,,PG-TSDSON-8,电压：30V，电流：48A，内阻：9mΩ BSC090N03LSG,,PG-TSDSON-8,电压：30V，电流：48A，内阻：9mΩ
