场效应管SE8209A SINO-IC
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE8209A |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 6000（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
SHANGHAI Feb 2008 MICROELECTRONICSCO., LTD.
SE8209A
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FeaturesFor a single mosfet ●VDSS= 20 V ●RDS(ON)= 24mW? @ VGS=4.0V @Ids=5A RDS(ON)= 36mW? @ VGS=2.5V @Ids=3A |
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Applications
●Battery protection ●Load switch ●Power management | ||||||
Construction
●Silicon epitaxial planer | ||||||
Absolute Maximum Ratings | ||||||
Parameter | Symbol | Rating | Units | |||
Drain-Source Voltage | VDS | 20 | V | |||
Gate-Source Voltage | VGS | ±12 | V | |||
Drain Current (Note 1) | Continuous Pulsed | ID | 6 | A | ||
IDM | 24 | |||||
Drain-Source Diode Forward Current | IS | 1.7 | A | |||
Maximum Power Dissipation | PD | 1.5 | W | |||
Operating Junction Temperature Range | TJ | -55 to 150 | °C | |||
StorageTemperature Range | TSTG | |||||
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主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三极管
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开关IC SE8205A SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE8205A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 极间电容 800（pF） 低频噪声系数 800（dB） 漏极电流 800（mA） 耗散功率 800（mW）
肖特基二极管 SEB551V-30 光宇睿芯
信息内容：产品类型 肖特基管 品牌/商标 国产 型号/规格 SOD-523 VBR=30V 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 电压控制 LED封装 无色透明(T) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 1（V） 正向直流电流IF 1（mA） 肖特基主要型号：SEB520S-30,SEB521S-30,SEB551V-30光宇睿芯主要产品类别：1、TVS/ESD保护器件 2、半导体过电压保护器件 3、功率MOSFET器件4、肖特基二极管 5、数字三极管 6、稳压二极管 7、LED驱动电路联系电...
