场效应管SE3400 N沟道 SOT-23封装 SINO-IC
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE3400 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 5800（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICSCO., LTD.
SE3400
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General DescriptionThe MOSFETs from SINO-IC provide the best combination of fast switching, low on-resistance and cost-effectiveness.
| Features●VDS(V) =30V ●ID=5.8A (VGS= 10V) ●RDS(ON)<28mΩ(VGS= 10V) ●RDS(ON)<33mΩ(VGS= 4.5V) ●RDS(ON)<52mΩ(VGS= 2.5V)
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Pin configurations See Diagram below
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Absolute Maximum Ratings | |||||||
Parameter | Symbol | Rating | Units | ||||
Drain-Source Voltage | VDS | 30 | V | ||||
Gate-Source Voltage | VGS | ±12 | V | ||||
Drain Current (Note 1) | Continuous | ID | 5.8 | A | |||
70℃ | 4.9 | ||||||
Total Power Dissipation | PD | 1.4 | W | ||||
Operating Junction Temperature Range | TJ | -50 to 150 | °C | ||||
Thermal Characteristics | |||||||
Parameter | Symbol | Typ | Max | ||||
Maximum Junction-to-AmbientA | Steady-State | RθJA | 65 | 90 | |||
Maximum Junction-to-- Case | Steady-State | RθJC | 0.8 | - | |||
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主要类目:1、TVS/ESD保护器件2、场效应管 3、稳压管、4、肖特基二极管 5、AC-DC IC 6、霍尔IC 7、LED开路保护器件 8、二三极管
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场效应管SE8209A SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE8209A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 12（V） 夹断电压 20（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 6000（mA） 耗散功率 1（mW） SHANGHAI Feb 2008MICROELECTRONICSCO., LTD. SE8209A Revision:ADual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FeaturesFor a single mosfet●VDSS= 20 V●...
开关IC SE8205A SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 SE8205A 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 极间电容 800（pF） 低频噪声系数 800（dB） 漏极电流 800（mA） 耗散功率 800（mW）
