供应 场效应管 BSC009NE2LS,009NE2LS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BSC009NE2LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A | |
| 品牌/商标： | INFINEON（英飞凌） | |
| 封装形式： | QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 5000/盘 | |
| 功率特征： | |
| 型号：BSC020N025SG | ||||
| 通道极性:N通道 | ||||
| 封装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
| Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
| Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 25 | V |
| Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 100 | A |
| Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 400 | A |
| Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 190 | mJ |
| Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
| Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 96 | W |
| Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250µA | 2.2 | V |
| Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=30A | 0.9 | mΩ |
| Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=12V, f=1MHz | 5800 | PF |
| Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A | 170 | S |
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 BSC0904NSI,0904NSI
信息内容：型 号：BSC0904NSI 标 记: 0904NSI 类 型：场效应管 通道极性: N通道 封 装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 备 注： Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=10mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 78 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 312 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=30A, RGS=25Ω 14 mJ Gate source voltage VGS ±20 ...
供应 场效应管 BSC0906NS,0906NS
信息内容：BSC0906NS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,63A,0.0045Ω Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 63 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 252 A Avalanche energy, single pulse EAS ID=35A, RGS=25Ω 14 mJ Power dissipation Ptot TC=25℃ 30 W Gate source vol...
