Karl SUSS MA56光罩对准曝光系统，利用紫外线通过模版对光刻胶进行曝光的设备，该设备为大规模集成电路、传感器、表面波元件、微波、LED、CCD等器件生产的重要生产设备，适用于Si，SiGe，SOI，SOS，GaAs，InP，InSb，CZT，M，LiNbO3等各种基材。
主要工作原理：利用聚焦光束对聚合物（通常称光刻胶）进行曝光，受电子束辐照后的光刻胶，其物理化学性质发生变化，在的溶剂中形成良溶或非良溶区域，从而在蚀剂上形成精细图形。该系统可处理4"晶圆，工作模式有接近式、接触式、真空接触模式。显微镜具有双重的定位目标和分现场观看。基片台依靠电动驱动，可在X和Y方向移动定位，以晶圆与光掩模板对准。
主要组成部分：光源，为30瓦的氘灯，波长为310 nm，一个350瓦汞弧灯，波长为365 nm.预对准板、晶片传送系统，可支持2"，3"，4"的光刻卡盘系统。支持紫外近紫外波长的显微镜对准系统。其他器手、电源控制、操作面板等
主要工作原理：利用聚焦光束对聚合物（通常称光刻胶）进行曝光，受电子束辐照后的光刻胶，其物理化学性质发生变化，在的溶剂中形成良溶或非良溶区域，从而在蚀剂上形成精细图形。该系统可处理4"晶圆，工作模式有接近式、接触式、真空接触模式。显微镜具有双重的定位目标和分现场观看。基片台依靠电动驱动，可在X和Y方向移动定位，以晶圆与光掩模板对准。
主要组成部分：光源，为30瓦的氘灯，波长为310 nm，一个350瓦汞弧灯，波长为365 nm.预对准板、晶片传送系统，可支持2"，3"，4"的光刻卡盘系统。支持紫外近紫外波长的显微镜对准系统。其他器手、电源控制、操作面板等
