平面溅射阴
特点：
1、采用的磁路设计，传统模式，更合磁控溅射的理念。
2、采用的结构设计，可以内置、外置，更合使用要求。
3、更高的溅射率，离子密度更强。
4、更高的利用率，40%以上。
5、尺寸范围：300-3000mm区间，保持一致的均匀性
6、使用范围：如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等
应用领域：
半导体、MEMS、TFT、ITO、LOW-E玻璃、硬质涂层、装饰性膜层。
特点：
1、采用的磁路设计，传统模式，更合磁控溅射的理念。
2、采用的结构设计，可以内置、外置，更合使用要求。
3、更高的溅射率，离子密度更强。
4、更高的利用率，40%以上。
5、尺寸范围：300-3000mm区间，保持一致的均匀性
6、使用范围：如TI、AL、NI、CR、AZO、ITO等
应用领域：
半导体、MEMS、TFT、ITO、LOW-E玻璃、硬质涂层、装饰性膜层。
