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供应 IR牌子 场效应管IRF9Z34NPBF 【IR代理】【原装】

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IRF9Z34NPBF
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:SW-REG/开关电源
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
功耗:56W
电压:55V
电流:17A

  • 场效应管MOSFET P TO-220 -55V -17A
  •  晶体管极性: P沟道
  •  电流, Id连续: 17A
  •  电压, Vds: 55V
  •  在电阻RDS(上): 100mohm
  •  电压@ Rds测量: -10V
  •  阈值电压, Vgs th典型值: -4V
  •  功耗, Pd: 56W
  •  工作温度敏: -55°C
  •  工作温度: 175°C
  •  封装类型: TO-220AB
  •  针脚数: 3
  •  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  •  功率, Pd: 56W
  •  功耗: 56W
  •  封装类型: TO-220AB
  •  工作温度范围: -55°C 175°C
  •  引脚节距: 2.54mm
  •  晶体管数: 1
  •  温度@电流测量: 25°C
  •  满功率温度: 25°C
  •  漏极电流, Id: -19A
  •  热阻,结至外壳A: 2.7°C/W
  •  电压Vgs @ Rds on测量: -10V
  •  电压, Vds: 55V
  •  电压, Vds典型值: -55V
  •  电压, Vgs: -4V
  •  电流, Idm脉冲: 68A
  •  表面安装器件: Through Hole
  •  针脚格式: 1 g
  •  2 d/tab
  •  3 s
  •  针脚配置: a

 

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深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 马加鹏
  • 电话:
  • 传真:
  • 手机:
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供应 ON牌子 场效应管NDF10N60ZG 【原装】

信息内容:

数据列表NDF10N60ZG产品相片TO-220AB 标准包装50类别分立半导体产品家庭FET -单系列-FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)600V电流-连续漏极(Id)(25° C时)10A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)750毫欧@ 5A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4.5V @ 100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)68nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)1645pF @ 25V功率-值39W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3整包供应商器件封装TO-220FP包装管件

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供应 IR牌子 场效应管IRFP044NPBF 【IR代理】【原装】

信息内容:

场效应管MOSFET N TO-247 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 49A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS(???): 20mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 100W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 100W 功耗: 100W 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 175°C 引脚节距: 5.45mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 53A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 180A"

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