价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRF9Z34NPBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
功耗: | 56W | |
电压: | 55V | |
电流: | 17A |
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数据列表NDF10N60ZG产品相片TO-220AB 标准包装50类别分立半导体产品家庭FET -单系列-FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)600V电流-连续漏极(Id)(25° C时)10A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)750毫欧@ 5A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4.5V @ 100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)68nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)1645pF @ 25V功率-值39W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3整包供应商器件封装TO-220FP包装管件
场效应管MOSFET N TO-247 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 49A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS(???): 20mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 100W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 100W 功耗: 100W 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 175°C 引脚节距: 5.45mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 53A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 180A"