供应 ON牌子 场效应管NDF10N60ZG 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | NDF10N60ZG | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | ON/安森美 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电流 - 连续漏极： | 10A | |
| 漏源极电压： | 600V | |
| 功率： | 39W |
数据列表 | NDF10N60ZG |
产品相片 | TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | - |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 10A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 750毫欧@ 5A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 4.5V @ 100µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 68nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1645pF @ 25V |
功率-值 | 39W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3整包 |
供应商器件封装 | TO-220FP |
包装 | 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRFP044NPBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-247 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 49A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS（???）: 20mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 100W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 100W 功耗: 100W 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 175°C 引脚节距: 5.45mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 53A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 180A"
供应：场效应管 FSC：FQA40N25 【全新原装】【优势代理】
信息内容：FQA40N25数据列表FQA40N25产品相片TO-3P-3,TO-247-3产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装30类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)250V电流-连续漏极(Id)（25° C时）40A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）70毫欧@ 20A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)110nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)4000pF @ 25V功率-值280W安装类型通孔封装/外壳TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装TO-3PN包装管件其它名称FQA40N25-NDFQA40N25FS 深圳市信科盛电子经营部地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都 联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振优势品牌产品系列：1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器...
