供应：场效应管 FSC：FQA40N25 【全新原装】【优势代理】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQA40N25 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率： | 280W | |
| 电流： | 40A | |
| 电压： | 250V |
FQA40N25
数据列表 | FQA40N25 |
产品相片 | TO-3P-3,TO-247-3 |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | QFET™ |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 40A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 70毫欧@ 20A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4000pF @ 25V |
功率-值 | 280W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
供应商器件封装 | TO-3PN |
包装 | 管件 |
其它名称 | FQA40N25-ND |
深圳市信科盛电子经营部
地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都
联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795
主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振
优势品牌产品系列：
1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC
2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管
3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器
4：MICROCHIP（微芯）①：8位PIC单片机 ②：16位PIC单片机 ③：32位PIC单片机
5:：Texas Instruments（德州仪器）：①：数字信号处理器 ②：模拟和混合信号器件 ③：逻辑IC。
厂家直销：
1：蓝宝石电解电容
2：USB
3：晶振
4：产品较多未能录尽，如有需要请直接联系业务，
专注 热情
深圳市信科盛电子经营部
（前身：深圳市佳盛电子）成立至今已是多家公司、工厂，电子元器件供应商，长期合作伙伴。
公司始终秉持“信誉为本，质量，顾客至上”的经营理念。
我们今天所取得的成绩，取决于新老客户的大力支持与厚爱，今后我们将以更好的三优服务——质优、价优、服务优，来回馈客户多年来对信科盛电子一如既往的信任与合作！
信科盛电子希望永远与您共谋发展、携手共进，共创美好未来！
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQPF3N80C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220F 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 3A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 4.8ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 39W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220F 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 封装类??: TO-220F 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 漏极电流, Id值: 3A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 5V 电流, Idm脉冲: 12A 表面安装器件: Through Hole
供应 IR牌子 IGBT IRG4PC50FDPBF【原装】【优势库存】
信息内容：晶体管IGBT TO-247晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管（IGBT）集电极直流电流:70A饱和电压, Vce sat:1.7V功耗, Pd:200W电压, Vceo:600V工作温度范围:-55°C到 150°C封装类型:TO-247针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)上升时间:25ns下降时间:140ns功率, Pd:200W功耗:200W封装类型:TO-247晶体管数:1晶体管极性:N沟道功耗:200W连续电流, Ic:70A温度@电流测量:25°C满功率温度:25°C电压, Vces:600V电流, Icm脉冲:280A表面安装器件:Through Hole显示“附件” "
