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供应 IR牌子 IGBT IRG4PC50FDPBF【原装】【优势库存】

价 格: 面议
关断速度:高频(快速)
极数:双极型
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IRG4PC50FDPBF
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:L/功率放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
封装材料:陶瓷封装

  • 晶体管IGBT TO-247
  • 晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管(IGBT
  • 集电极直流电流:70A
  • 饱和电压, Vce sat:1.7V
  • 功耗, Pd:200W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-55°C 150°C
  • 封装类型:TO-247
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间:25ns
  • 下降时间:140ns
  • 功率, Pd:200W
  • 功耗:200W
  • 封装类型:TO-247
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N沟道
  • 功耗:200W
  • 连续电流, Ic:70A
  • 温度@电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Icm脉冲:280A
  • 表面安装器件:Through Hole

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深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
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  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRFP4004PBF 【原装】【优势库存】

信息内容:

数据列表IRFP4004PBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)40V电流-连续漏极(Id)(25° C时)195A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)1.7毫欧@ 195A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)330nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)8920pF @ 25V功率-值380W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC包装管件

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供应 IR牌子 场效应管IRFP4227PBF 【IR代理】【原装】

信息内容:

数据列表IRFP4227PBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)200V电流-连续漏极(Id)(25° C时)65A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)25毫欧@ 46A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)98nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)4600pF @ 25V功率-值330W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC包装管件 "

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