价 格: | 面议 | |
关断速度: | 高频(快速) | |
极数: | 双极型 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRG4PC50FDPBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | L/功率放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装材料: | 陶瓷封装 |
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数据列表IRFP4004PBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)40V电流-连续漏极(Id)(25° C时)195A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)1.7毫欧@ 195A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)330nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)8920pF @ 25V功率-值380W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC包装管件
数据列表IRFP4227PBF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)200V电流-连续漏极(Id)(25° C时)65A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)25毫欧@ 46A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)98nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)4600pF @ 25V功率-值330W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC包装管件 "