供应 IR牌子 场效应管IRFP4227PBF 【IR代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP4227PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | 330W | |
| 电流： | 65A | |
| 电压： | 200V |
数据列表 | IRFP4227PBF |
产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 65A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 25毫欧@ 46A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 25V |
功率-值 | 330W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
包装 | 管件 |
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP9N25C 【原装】
信息内容：数据列表FQP9N25C,产品相片TO-220-3, TO-220AB标准包装1,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)250V电流-连续漏极(Id)（25° C时）8.8A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）430毫欧@ 4.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）4V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)35nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)710pF @ 25V功率-值74W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商器件封装TO-220包装管件
供应：原装：SPW47N60C3（场效应管）现货库存
信息内容：SPW47N60C3场效应管MOSFET N TO-247每管30 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 47A 电压, Vds: 650V 在电阻RDS（上）: 70mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 415W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-247 针脚数: 3 封装类型: TO-247 总功率, Ptot: 415W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 47A 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 47A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 650V 电压, Vds典型值: 650V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 141A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V
