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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP9N25C 【原装】

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:FQP9N25C
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
用途:L/功率放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
安装类型:通孔
功率:74W
漏源极电压:250V

数据列表

FQP9N25C,

产品相片

TO-220-3, TO-220AB

标准包装

1,000

类别

分立半导体产品

家庭

FET -

系列

QFET™

FET类型

MOSFET N通道,金属氧化物

FET功能

标准

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)25° C时)

8.8A

不同 IdVgs时的 Rds On(值)

430毫欧@ 4.4A10V

不同Id时的Vgs(th)(值)

4V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

710pF @ 25V

功率-

74W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220

包装

管件

 

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 马加鹏
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公司相关产品

供应:原装:SPW47N60C3(场效应管)现货库存

信息内容:

SPW47N60C3场效应管MOSFET N TO-247每管30 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 47A 电压, Vds: 650V 在电阻RDS(上): 70mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 415W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-247 针脚数: 3 封装类型: TO-247 总功率, Ptot: 415W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 47A 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 47A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 650V 电压, Vds典型值: 650V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 141A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V

详细内容>>

供应 VISHAY牌子 场效应管IRFP360PBF 【IR代理】【原装】

信息内容:

场效应管MOSFET N沟道 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 23A 电压, Vds: 400V 在电阻RDS(上): 200mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 280W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) ??装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 150°C 漏极电流, Id值: 23A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 400V 电压, Vgs: 20V 表面安装器件: Through Hole

详细内容>>

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