价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | FQP9N25C | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
用途: | L/功率放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
安装类型: | 通孔 | |
功率: | 74W | |
漏源极电压: | 250V |
数据列表 | FQP9N25C, |
产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | QFET™ |
FET类型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25° C时) | 8.8A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On(值) | 430毫欧@ 4.4A,10V |
不同Id时的Vgs(th)(值) | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 25V |
功率-值 | 74W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装 | 管件 |
SPW47N60C3场效应管MOSFET N TO-247每管30 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 47A 电压, Vds: 650V 在电阻RDS(上): 70mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 415W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-247 针脚数: 3 封装类型: TO-247 总功率, Ptot: 415W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 47A 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 47A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 650V 电压, Vds典型值: 650V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 141A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V
场效应管MOSFET N沟道 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 23A 电压, Vds: 400V 在电阻RDS(上): 200mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 280W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) ??装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C到 150°C 漏极电流, Id值: 23A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 400V 电压, Vgs: 20V 表面安装器件: Through Hole