供应 VISHAY牌子 场效应管IRFP360PBF 【IR代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP360PBF | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 品牌/商标： | Vishay/威世通 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率： | 280W | |
| 电压： | 400V | |
| 电流： | 23A |
- 场效应管MOSFET N沟道
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 23A
- 电压, Vds: 400V
- 在电阻RDS（上）: 200mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 280W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-247AC
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- ??装类型: TO-247AC
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 漏极电流, Id值: 23A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 400V
- 电压, Vgs: 20V
- 表面安装器件: Through Hole
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP3N80C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 3A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 4ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 107W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 107W 功耗: 107W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 3A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 12A 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 4.8ohm 阈值电压, Vgs th: 5V "
供应：ST牌子 场效应管 STP65NF06 【原装】【优势代理】
信息内容：STP65NF06场效应管MOSFET N沟道60V 60A TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 30A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS（上）: 11.5mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 110W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 封装类型: TO-220 晶体管类型: 功率MOSFET 漏极电流, Id值: 60A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 20V 表面安装器件: Through Hole
