供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP3N80C 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQP3N80C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 晶体管数： | 1 | |
| 功耗： | 107W | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +150°C |
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 3A
- 电压, Vds: 800V
- 在电阻RDS（上）: 4ohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 5V
- 功耗, Pd: 107W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 107W
- 功耗: 107W
- 外宽: 10.67mm
- 外部长度/高度: 4.83mm
- 封装类型: TO-220
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 3A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 800V
- 电压, Vgs: 30V
- 电流, Idm脉冲: 12A
- 表面安装器件: Through Hole
- 通态电阻, Rds on: 4.8ohm
- 阈值电压, Vgs th: 5V
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公司信息未核实
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