供应 IR牌子 场效应管IRFP4110PBF 【原装】【优势库存】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP4110PBF - | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电压： | 100V | |
| 电流： | 120A | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +175°C |
数据列表 | IRFP4110PBF |
产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 120A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 4.5毫欧@ 75A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 4V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9620pF @ 50V |
功率-值 | 370W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP13N50C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N沟道500V 13A TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 13A 电压, Vds: 500V 在电阻RDS（上）: 480mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 195W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 漏极电流, Id值: 13A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 500V 电压, Vgs: 4V 表面安装器件: Through Hole
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQPF8N60C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220F 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 7.5A 电压, Vds: 600V 在电阻RDS（上）: 1.2ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 48W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220F 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 48W 功耗: 48W 封装类型: TO-220F 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 漏极电流, Id值: 7.5A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 600V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 30A 表面安装器件: Through Hole
