供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP13N50C 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQP13N50C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 晶体管极性： | N沟道 | |
| 功耗： | 195W | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +150°C |
- 场效应管MOSFET N沟道500V 13A TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 13A
- 电压, Vds: 500V
- 在电阻RDS（上）: 480mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 195W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 封装类型: TO-220
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 漏极电流, Id值: 13A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 500V
- 电压, Vgs: 4V
- 表面安装器件: Through Hole
- 所属城市：广东 深圳
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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQPF8N60C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220F 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 7.5A 电压, Vds: 600V 在电阻RDS（上）: 1.2ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 48W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220F 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 48W 功耗: 48W 封装类型: TO-220F 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 漏极电流, Id值: 7.5A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 600V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 30A 表面安装器件: Through Hole
供应 FAIRCHILD牌子 FQP6N80C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 5.5A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 2.1ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 158W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 158W 功耗: 158W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 5.5A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 22A 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 2.5ohm 阈值电压, Vgs th: 5V "
