供应 FAIRCHILD牌子 FQP6N80C 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQP6N80C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | 158W | |
| 电流, Id 连续： | 5.5A | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +150°C |
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 5.5A
- 电压, Vds: 800V
- 在电阻RDS（上）: 2.1ohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 5V
- 功耗, Pd: 158W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 158W
- 功耗: 158W
- 外宽: 10.67mm
- 外部长度/高度: 4.83mm
- 封装类型: TO-220
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 5.5A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 800V
- 电压, Vgs: 30V
- 电流, Idm脉冲: 22A
- 表面安装器件: Through Hole
- 通态电阻, Rds on: 2.5ohm
- 阈值电压, Vgs th: 5V
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深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
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- 联系人： 马加鹏
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供应：IR场效应管：IRFP064NPBF 原装 现货库存
信息内容：IRFP064NPBF场效应??MOSFET N TO-247AC 55V 98A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 98A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS（上）: 8mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 150W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 150W 功耗: 150W 封装类型: TO-247AC 引脚节距: 5.45mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 110A 热阻,结至外壳A: 1°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 390A 表面安装器件: Through Hole "
供应 IR牌子 场效应管IRFP4228PBF 【IR代理】【原装】
信息内容：数据列表IRFP4228PbF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)150V电流-连续漏极(Id)（25° C时）78A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）15.5毫欧@ 33A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)107nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)4530pF @ 25V功率-值310W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC"
