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供应:IR场效应管:IRFP064NPBF 原装 现货库存

价 格: 面议
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
型号/规格:IRFP064NPBF
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标:IR/国际整流器
用途:L/功率放大
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
功耗:150W
电压, Vds :55V
电流, Id 连续:98A

IRFP064NPBF

  • 场效应??MOSFET N TO-247AC 55V 98A
  •  晶体管极性: N沟道
  •  电流, Id连续: 98A
  •  电压, Vds: 55V
  •  在电阻RDS(上): 8mohm
  •  电压@ Rds测量: 10V
  •  阈值电压, Vgs th典型值: 4V
  •  功耗, Pd: 150W
  •  工作温度范围: -55°C 175°C
  •  封装类型: TO-247AC
  •  针脚数: 3
  •  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  •  功率, Pd: 150W
  •  功耗: 150W
  •  封装类型: TO-247AC
  •  引脚节距: 5.45mm
  •  晶体管数: 1
  •  温度@电流测量: 25°C
  •  满功率温度: 25°C
  •  漏极电流, Id: 110A
  •  热阻,结至外壳A: 1°C/W
  •  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
  •  电压, Vds典型值: 55V
  •  电压, Vgs: 4V
  •  电流, Idm脉冲: 390A
  •  表面安装器件: Through Hole

 

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深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRFP4228PBF 【IR代理】【原装】

信息内容:

数据列表IRFP4228PbF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)150V电流-连续漏极(Id)(25° C时)78A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)15.5毫欧@ 33A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)107nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)4530pF @ 25V功率-值310W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC"

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供应:FSC牌子 场效应管 FQPF4N90C【优势库存】【原装】

信息内容:

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