价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRFP064NPBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | L/功率放大 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
功耗: | 150W | |
电压, Vds : | 55V | |
电流, Id 连续: | 98A |
IRFP064NPBF
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数据列表IRFP4228PbF产品相片TO-247-3标准包装25类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)150V电流-连续漏极(Id)(25° C时)78A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)15.5毫欧@ 33A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)107nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)4530pF @ 25V功率-值310W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3供应商器件封装TO-247AC"
FQPF4N90C数据列表FQP4N90C, FQPF4N90C产品相片TO-220AB 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装50类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道,金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)900V电流-连续漏极(Id)(25° C时)4A不同 Id、Vgs时的 Rds On(值)4.2欧姆@ 2A,10V不同Id时的Vgs(th)(值)5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)22nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)960pF @ 25V功率-值47W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3整包供应商器件封装TO-220F包装管件