供应 IR牌子 场效应管IRFP4228PBF 【IR代理】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFP4228PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电压： | 150V | |
| 电流： | 78A | |
| 功率： | 310W |
数据列表 | IRFP4228PbF |
产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 78A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 15.5毫欧@ 33A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 107nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4530pF @ 25V |
功率-值 | 310W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
- 所属城市：广东 深圳
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供应：FSC牌子 场效应管 FQPF4N90C【优势库存】【原装】
信息内容：FQPF4N90C数据列表FQP4N90C, FQPF4N90C产品相片TO-220AB 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装50类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss)900V电流-连续漏极(Id)（25° C时）4A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）4.2欧姆@ 2A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)22nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)960pF @ 25V功率-值47W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3整包供应商器件封装TO-220F包装管件
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP8N60C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 7.5A 电压, Vds: 600V 在电阻RDS（上）: 1ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 147W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 147W 功耗: 147W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 7.5A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 600V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 30A 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 1.2ohm 阈值电压, Vgs th: 4V "
