供应：FSC牌子 场效应管 FQPF4N90C【优势库存】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQPF4N90C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功率 - 值： | 47W | |
| 电流 - 连续漏极 (I： | 4A | |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 900V |
FQPF4N90C
数据列表 | FQP4N90C, FQPF4N90C |
产品相片 | TO-220AB |
产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
产品变化通告 | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | QFET™ |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 4A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 4.2欧姆@ 2A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 25V |
功率-值 | 47W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装 | 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP8N60C 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 7.5A 电压, Vds: 600V 在电阻RDS（上）: 1ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 147W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 147W 功耗: 147W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 7.5A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 600V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 30A 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 1.2ohm 阈值电压, Vgs th: 4V "
供应：IR:原装：IRFB4110PBF【优势代理】
信息内容：IRFB4110PBF 场效应管MOSFET N 100V TO-220AB 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 180A 电压, Vds: 100V 在???阻RDS（上）: 4.5mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 370W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 370W 功耗: 370mW 器件标号: 4110 封装类型: TO-220AB 栅极电荷Qg N沟道: 150nC 漏极电流, Id值: 180A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 100V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 670A 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 2V 阈值电压, Vgs th: 4V
