供应：IR:原装：IRFB4110PBF【优势代理】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFB4110PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 针脚数： | 3 | |
| 工作温度： | -55°C 到 +175°C | |
| 功耗： | 370mW |
IRFB4110PBF
- 场效应管MOSFET N 100V TO-220AB
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 180A
- 电压, Vds: 100V
- 在???阻RDS（上）: 4.5mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 370W
- 工作温度范围: -55°C到 175°C
- 封装类型: TO-220AB
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 370W
- 功耗: 370mW
- 器件标号: 4110
- 封装类型: TO-220AB
- 栅极电荷Qg N沟道: 150nC
- 漏极电流, Id值: 180A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 100V
- 电压, Vgs: 4V
- 电流, Idm脉冲: 670A
- 表面安装器件: Through Hole
- 阈值电压, Vgs th: 2V
- 阈值电压, Vgs th: 4V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应：原装：SPW17N80C3 场效应管 现货库存
信息内容：SPW17N80C3场效应管MOSFET N COOLMOS TO-247 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 17A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 290mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 208W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-247 针脚数: 3 功率, Pd: 208W 功耗: 208W 封装类型: TO-247 总功率, Ptot: 208W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 17A 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 17A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 800V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 51A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V
供应：FSC牌子：场效应管：FQP7N80C 原装 现货供应
信息内容：FQP7N80C 场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 6.6A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 1.57ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 167W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012) 功率, Pd: 167W 功耗: 167W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 6.6A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 26.4A 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 1.9ohm 阈值电压, Vgs th: 5V "
