供应：FSC牌子：场效应管：FQP7N80C 原装 现货供应
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQP7N80C | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 针脚数： | 3 | |
| 工作温度： | -55°C 到 +150°C | |
| 功耗： | 167W |
FQP7N80C
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 6.6A
- 电压, Vds: 800V
- 在电阻RDS（上）: 1.57ohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 5V
- 功耗, Pd: 167W
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
- 功率, Pd: 167W
- 功耗: 167W
- 外宽: 10.67mm
- 外部长度/高度: 4.83mm
- 封装类型: TO-220
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 6.6A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 800V
- 电压, Vgs: 30V
- 电流, Idm脉冲: 26.4A
- 表面安装器件: Through Hole
- 通态电阻, Rds on: 1.9ohm
- 阈值电压, Vgs th: 5V
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- 所属城市：广东 深圳
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供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP18N50V2 【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 18A 电压, Vds: 500V 在电阻RDS（上）: 225mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 208W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 208W 功耗: 208W 外宽: 10.67mm 外部长度/高度: 4.83mm 封装类型: TO-220 工作温度范围: -55°C到 150°C 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 18A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 500V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 72A 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 265mohm 阈值电压, Vgs th: 5V
供应：原装：场效应管：SPA11N80C3
信息内容：SPA11N80C3场效应管MOSFET N COOLMOS TO-220FP 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 11A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 450mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 41W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-220FP 针脚数: 3 功率, Pd: 41W 功耗: 41W 封装类型: TO-220FP 总功率, Ptot: 41W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 11A 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 11A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 800V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 33A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V "
