供应 FAIRCHILD牌子 场效应管FQP18N50V2 【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQP18N50V2 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 晶体管极性： | N沟道 | |
| 功耗： | 208W | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +150°C |
- 场效应管MOSFET N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 18A
- 电压, Vds: 500V
- 在电阻RDS（上）: 225mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 5V
- 功耗, Pd: 208W
- 工作温度敏: -55°C
- 工作温度: 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd: 208W
- 功耗: 208W
- 外宽: 10.67mm
- 外部长度/高度: 4.83mm
- 封装类型: TO-220
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 18A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 500V
- 电压, Vgs: 30V
- 电流, Idm脉冲: 72A
- 表面安装器件: Through Hole
- 通态电阻, Rds on: 265mohm
- 阈值电压, Vgs th: 5V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应：原装：场效应管：SPA11N80C3
信息内容：SPA11N80C3场效应管MOSFET N COOLMOS TO-220FP 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 11A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 450mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 41W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-220FP 针脚数: 3 功率, Pd: 41W 功耗: 41W 封装类型: TO-220FP 总功率, Ptot: 41W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 11A 漏极连续电流, Id @ 25摄氏度: 11A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 800V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 33A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V "
供应 IR牌子 场效应管IRLR120NTRPbF 【原装】【大量现货】
信息内容：数据列表IRLR120NTRPbF产品相片TO-263标准包装2,000类别分立半导体产品家庭FET -单系列HEXFET®FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能逻辑电平门漏源极电压(Vdss)100V电流-连续漏极(Id)（25° C时）10A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）185毫欧@ 6A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）2V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)20nC @ 5V不同Vds时的输入电容(Ciss)440pF @ 25V功率-值48W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3，DPak（2引线 接片），SC-63供应商器件封装D-Pak包装带卷(TR)
