供应 IR牌子 场效应管IRLR120NTRPbF 【原装】【大量现货】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRLR120NTRPbF | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | 48W | |
| 工作温度范围： | -55°C 到 +175°C | |
| 漏源极电压： | 100V |
数据列表 | IRLR120NTRPbF |
产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 10A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 185毫欧@ 6A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 2V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
功率-值 | 48W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2引线 接片），SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装 | 带卷(TR) |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应：FSC牌子 场效应管 FQPF6N80C【优势库存】【原装】
信息内容：FQPF6N80C 场效应管MOSFET N TO-220F 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 5.5A 电压, Vds: 800V 在电阻RDS（上）: 2.5ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 51W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-220F 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 封装类型: TO-220F 晶体管数: 1 漏极电流, Id值: 5.5A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 800V 电压, Vgs: 30V 电流, Idm脉冲: 22A 表面安装器件: Through Hole
供应：IR场效应管：IRFP048NPBF 原装 大量现货库存
信息内容：IRFP048NPBF 场效应管MOSFET N TO-247 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 62A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS（???）: 16mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 130W 工作温度范围: -55°C到 175°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 130W 功耗: 130W 封装类型: TO-247AC 引脚节距: 5.45mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 64A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 55V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 210A
