价 格: | 面议 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
型号/规格: | IRFP048NPBF | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
功耗, Pd: | 130W | |
电压, Vds : | 55V | |
电流, Id 连续: | 62A |
IRFP048NPBF
晶体管IGBT TO-247AC晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)集电极直流电流:42A饱和电压, Vce sat:2.6V功耗, Pd:160W电压, Vceo:600V工作温度范围:-55°C到 150°C封装类型:TO-247AC针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)上升时间:15ns封装类型:TO-247AC晶体管极性:N沟道功耗:160W连续电流, Ic:42A电压, Vces:600V电流, Icm脉冲:84A表面安装器件:Through Hole集电极电流, Ic ???均值:42A
IRF820PBF 场效应管MOSFET N TO-220 500V 2.5A 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 2.5A 电压, Vds: 500V 在电阻RDS(上): 3ohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 40W 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 功率, Pd: 40W 功耗: 40W 封装类型: TO-220AB 引脚节距: 2.54mm 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 2.5A 热阻,结至外壳A: 2.5°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 500V 电压, Vgs: 20V 电流, Idm脉冲: 10A 表面安装器件: Through Hole 针脚格式: 1 g 2 d/tab 3 s 针脚配置: a