供应：VISHAY:IRF820PBF:原装 优势代理
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRF820PBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | Vishay/威世通 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 针脚数： | 3 | |
| 功耗： | 40W | |
| 功率： | 40W |
IRF820PBF
- 场效应管MOSFET N TO-220 500V 2.5A
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 2.5A
- 电压, Vds: 500V
- 在电阻RDS（上）: 3ohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 4V
- 功耗, Pd: 40W
- 封装类型: TO-220AB
- 针脚数: 3
- 功率, Pd: 40W
- 功耗: 40W
- 封装类型: TO-220AB
- 引脚节距: 2.54mm
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 2.5A
- 热阻,结至外壳A: 2.5°C/W
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 500V
- 电压, Vgs: 20V
- 电流, Idm脉冲: 10A
- 表面安装器件: Through Hole
- 针脚格式: 1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- 针脚配置: a
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
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供应：FSC牌子 场效应管FQPF6N90C【优势库存】【原装】
信息内容：FQPF6N90C数据列表FQP6N90C, FQPF6N90C产品相片TO-220AB 产品变化通告Design/Process Change Notification 26/June/2007标准包装50类别分立半导体产品家庭FET -单系列QFET™FET类型MOSFET N通道，金属氧化物FET功能标准漏源极电压(Vdss900V电流-连续漏极(Id)（25° C时）6A不同 Id、Vgs时的 Rds On（值）2.3欧姆@ 3A，10V不同Id时的Vgs(th)（值）5V @ 250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)40nC @ 10V不同Vds时的输入电容(Ciss)1770pF @ 25V功率-值56W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3整包供应商器件封装TO-220F包装管件 "
供应：IR牌子：原装：场效应管：IRFU9024NPBF【优势代理】
信息内容：IRFU9024NPBF 场效应管MOSFET P I-PAK -55V -11A 晶体管极性: P沟道 电流, Id连续: 11A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS（上）: 175mohm 电压@ Rds测量: -10V 阈值电压, Vgs th典型值: -4V 功耗, Pd: 38W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-251AA 针脚数: 3 SMD标号: IRFU 9024N 功率, Pd: 38W 功耗: 38W 封装类型: IPAK 封装类型,替代: I-PAK 时间, t off: 23ns 时间, t on: 13ns 温度@电流测量: 25°C 漏极电流, Id值: -11A 热阻,结至外壳A: 3.3°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: -10V 电压, Vds典型值: -55V 电压, Vgs: -4V 电流, Idm脉冲: 44A 表面安装器件: Through Hole
