供应：IR牌子：原装：场效应管：IRFU9024NPBF【优势代理】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | IRFU9024NPBF | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | IR/国际整流器 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 工作温度： | -55°C 到 +150°C | |
| 针脚数： | 3 | |
| 功耗： | 38W |
IRFU9024NPBF
- 场效应管MOSFET P I-PAK -55V -11A
- 晶体管极性: P沟道
- 电流, Id连续: 11A
- 电压, Vds: 55V
- 在电阻RDS（上）: 175mohm
- 电压@ Rds测量: -10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: -4V
- 功耗, Pd: 38W
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 封装类型: TO-251AA
- 针脚数: 3
- SMD标号: IRFU 9024N
- 功率, Pd: 38W
- 功耗: 38W
- 封装类型: IPAK
- 封装类型,替代: I-PAK
- 时间, t off: 23ns
- 时间, t on: 13ns
- 温度@电流测量: 25°C
- 漏极电流, Id值: -11A
- 热阻,结至外壳A: 3.3°C/W
- 电压Vgs @ Rds on测量: -10V
- 电压, Vds典型值: -55V
- 电压, Vgs: -4V
- 电流, Idm脉冲: 44A
- 表面安装器件: Through Hole
- 所属城市：广东 深圳
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供应：原装：SPA20N60C3（场效应管）现货库存
信息内容：SPA20N60C3 场效应管MOSFET COOLMOS N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 20.7A 电压, Vds: 650V 在电阻RDS（上）: 190mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 34.5W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 功率, Pd: 34.5W 功耗: 34.5W 单脉冲雪崩能量Eas: 690mJ 封装类型: TO-220AB 晶体管数: 1 重复雪崩能量Ear: 1mJ 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 20.7A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 650V 电压, Vgs: 20V 电压变化率dv/dt: 50V/µs 电流, Idm脉冲: 62.1A 电流, Idss: 1mA 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 190mohm 重复雪崩电流, Iar: 20A 阈值电压, Vgs th: 2.1V 阈值电压, Vgs th: 3.9V
供应：原装IC：场效应管 MOSFET SPP20N60C3 现货库存
信息内容：SPP20N60C3场效应管MOSFET N TO-220每管50 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 20.7A 电压, Vds: 650V 在电阻RDS（上）: 190mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 208W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 封装类型: TO-220 总功率, Ptot: 208W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 20.7A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 650V 电压, Vds典型值: 650V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 62.1A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V
