供应：原装IC：场效应管 MOSFET SPP20N60C3 现货库存
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | SPP20N60C3 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 电压： | 650V | |
| 工作温度： | -55°C 到 +150°C | |
| 功耗： | 208W |
SPP20N60C3
- 场效应管MOSFET N TO-220每管50
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 20.7A
- 电压, Vds: 650V
- 在电阻RDS（上）: 190mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 3V
- 功耗, Pd: 208W
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 封装类型: TO-220
- 针脚数: 3
- 封装类型: TO-220
- 总功率, Ptot: 208W
- 晶体管数: 1
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 20.7A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds: 650V
- 电压, Vds典型值: 650V
- 电压, Vgs: 3V
- 电流, Idm脉冲: 62.1A
- 结温, Tj: -55°C
- 结温, Tj: 150°C
- 表面安装器件: Through Hole
- 阈值电压, Vgs th: 3.9V
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 马加鹏
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供应 IR牌子 场效应管IRFB3206PBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N沟道60V TO-220AB 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 210A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS（上）: 3mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 300W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 300W 功耗: 300mW 器件标号: 3206 封装类型: TO-220AB 工作温度范围: -55°C到 175°C 栅极电荷Qg N沟道: 120nC 漏极电流, Id值: 210A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 840A 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 2V 阈值电压, Vgs th: 4V "
供应：场效应管 FSC : FQA28N50 【全新原装】【优势代理】
信息内容：FQA28N50 场效应管MOSFET N TO-3P晶体管极性:N沟道电流, Id连续:28.4A电压, Vds:500V在电阻RDS（上）:160mohm电压@ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th典型值:5V功耗, Pd:310W工作温度范围:-55°C到 150°C封装类型:TO-3P针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)功率, Pd:310W功耗:310W封装类型:TO-3P漏极电流, Id值:28.4A电压Vgs @ Rds on测量:10V电压, Vds典型值:500V电压, Vgs:5V电流, Idm脉冲:113.6A结温, Tj:-55°C结温, Tj:150°C 深圳市信科盛电子经营部地址：深圳市福田区中航路与振中路交汇处新亚洲电子商城2期N1A048都 联系方式：业务联系电话：13824389879马先生、13717114091马小姐、业务联系QQ：466741729 QQ:1584381795主要经营：集成电路IC、二三极管、可控硅、电阻电容、开关、桥堆、晶振优势品牌产品系列：1：ATMEL(爱特梅尔)：①：非易失性存储器、②：微控制器、③：成像IC2：IR（国际整流器）： ①：功率MOS管、 ②：IGBT模块 ③：二极管3：ST(意法半导体)： ①：微控制器、 ②：智能卡IC ③：专用存储器4：MICROCHIP（微芯）①：8位PIC单片机 ②：16位PIC单片机 ③：32位PIC单片机5:：Texas Instrumen...
