供应：原装：SPA20N60C3（场效应管）现货库存
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | SPA20N60C3 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 功耗： | -55°C 到 +150°C | |
| 工作温度： | 34.5W | |
| 电流, Id 连续： | 20.7A |
SPA20N60C3
- 场效应管MOSFET COOLMOS N TO-220
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id连续: 20.7A
- 电压, Vds: 650V
- 在电阻RDS（上）: 190mohm
- 电压@ Rds测量: 10V
- 阈值电压, Vgs th典型值: 3V
- 功耗, Pd: 34.5W
- 工作温度范围: -55°C到 150°C
- 封装类型: TO-220AB
- 针脚数: 3
- 功率, Pd: 34.5W
- 功耗: 34.5W
- 单脉冲雪崩能量Eas: 690mJ
- 封装类型: TO-220AB
- 晶体管数: 1
- 重复雪崩能量Ear: 1mJ
- 温度@电流测量: 25°C
- 满功率温度: 25°C
- 漏极电流, Id值: 20.7A
- 电压Vgs @ Rds on测量: 10V
- 电压, Vds典型值: 650V
- 电压, Vgs: 20V
- 电压变化率dv/dt: 50V/µs
- 电流, Idm脉冲: 62.1A
- 电流, Idss: 1mA
- 结温, Tj: -55°C
- 结温, Tj: 150°C
- 表面安装器件: Through Hole
- 通态电阻, Rds on: 190mohm
- 重复雪崩电流, Iar: 20A
- 阈值电压, Vgs th: 2.1V
- 阈值电压, Vgs th: 3.9V
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应：原装IC：场效应管 MOSFET SPP20N60C3 现货库存
信息内容：SPP20N60C3场效应管MOSFET N TO-220每管50 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 20.7A 电压, Vds: 650V 在电阻RDS（上）: 190mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 208W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 封装类型: TO-220 总功率, Ptot: 208W 晶体管数: 1 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 20.7A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds: 650V 电压, Vds典型值: 650V 电压, Vgs: 3V 电流, Idm脉冲: 62.1A 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 3.9V
供应 IR牌子 场效应管IRFB3206PBF 【IR代理】【原装】
信息内容：场效应管MOSFET N沟道60V TO-220AB 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 210A 电压, Vds: 60V 在电阻RDS（上）: 3mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 4V 功耗, Pd: 300W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 175°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 功率, Pd: 300W 功耗: 300mW 器件标号: 3206 封装类型: TO-220AB 工作温度范围: -55°C到 175°C 栅极电荷Qg N沟道: 120nC 漏极电流, Id值: 210A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 60V 电压, Vgs: 4V 电流, Idm脉冲: 840A 表面安装器件: Through Hole 阈值电压, Vgs th: 2V 阈值电压, Vgs th: 4V "
