供应：FSC牌子 场效应管FQPF6N90C【优势库存】【原装】
| 价 格： | 面议 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 型号/规格： | FQPF6N90C | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 用途： | L/功率放大 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 不同 Vds 时的输入电： | 1770pF @ 25V | |
| 功率值： | 56W | |
| 漏源极电压 (Vdss）： | 900V |
FQPF6N90C
数据列表 | FQP6N90C, FQPF6N90C |
产品相片 | TO-220AB |
产品变化通告 | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | QFET™ |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源极电压(Vdss | 900V |
电流-连续漏极(Id)（25° C时） | 6A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（值） | 2.3欧姆@ 3A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（值） | 5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1770pF @ 25V |
功率-值 | 56W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3整包 |
供应商器件封装 | TO-220F |
包装 | 管件 |
"
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 马加鹏
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
供应：IR牌子：原装：场效应管：IRFU9024NPBF【优势代理】
信息内容：IRFU9024NPBF 场效应管MOSFET P I-PAK -55V -11A 晶体管极性: P沟道 电流, Id连续: 11A 电压, Vds: 55V 在电阻RDS（上）: 175mohm 电压@ Rds测量: -10V 阈值电压, Vgs th典型值: -4V 功耗, Pd: 38W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-251AA 针脚数: 3 SMD标号: IRFU 9024N 功率, Pd: 38W 功耗: 38W 封装类型: IPAK 封装类型,替代: I-PAK 时间, t off: 23ns 时间, t on: 13ns 温度@电流测量: 25°C 漏极电流, Id值: -11A 热阻,结至外壳A: 3.3°C/W 电压Vgs @ Rds on测量: -10V 电压, Vds典型值: -55V 电压, Vgs: -4V 电流, Idm脉冲: 44A 表面安装器件: Through Hole
供应：原装：SPA20N60C3（场效应管）现货库存
信息内容：SPA20N60C3 场效应管MOSFET COOLMOS N TO-220 晶体管极性: N沟道 电流, Id连续: 20.7A 电压, Vds: 650V 在电阻RDS（上）: 190mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 3V 功耗, Pd: 34.5W 工作温度范围: -55°C到 150°C 封装类型: TO-220AB 针脚数: 3 功率, Pd: 34.5W 功耗: 34.5W 单脉冲雪崩能量Eas: 690mJ 封装类型: TO-220AB 晶体管数: 1 重复雪崩能量Ear: 1mJ 温度@电流测量: 25°C 满功率温度: 25°C 漏极电流, Id值: 20.7A 电压Vgs @ Rds on测量: 10V 电压, Vds典型值: 650V 电压, Vgs: 20V 电压变化率dv/dt: 50V/µs 电流, Idm脉冲: 62.1A 电流, Idss: 1mA 结温, Tj: -55°C 结温, Tj: 150°C 表面安装器件: Through Hole 通态电阻, Rds on: 190mohm 重复雪崩电流, Iar: 20A 阈值电压, Vgs th: 2.1V 阈值电压, Vgs th: 3.9V
